FRAM FM25V10 1Mbit SPI, Gehäuse SOIC-8 — schneller nichtflüchtiger Speicher
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TKP-IC-ME-006
FRAM FM25V10 1Mbit (128KB) SPI SOIC-8, 10¹⁴ Zyklen, sofortiges Schreiben
FRAM-Speicher (Ferroelectric RAM) FM25V10 im SOIC-8-Gehäuse. Kapazität 1Mbit (128KB). SPI-Schnittstelle bis 40MHz. Quasi unbegrenzte Schreibzyklen-Lebensdauer (10¹⁴ Zyklen), Datenerhalt 151 Jahre bei 85°C. Sofortiges Schreiben ohne Verzögerung und ohne Seitenpuffer. Versorgung 2,0V–3,6V. Aktivstrom 1,5mA, Standby 30µA. Ideale Technologie für Zähler, Datenlogger und häufige Aufzeichnungen.
| IC-Familie | Speicher |
|---|---|
| Pinanzahl | 8 |
| Betriebsspannung | 3.3V |
| IC-Gehäuse | SOIC |
| Programmierbar | Nein |
| Eingebauter Speicher | 256KB |
| Marke | NanoSilicon |
| Montageart | SMD |
| Spannungskompatibilität | 3.3V |
| RoHS-konform | Ja |
| Verfügbarkeit | Auf Lager |
| Verpackung | Einzeln |
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